Сравнение

SI1032R-T1-GE3, МОП-транзистор, N Канал, 140 мА, 20 В, 5 Ом, 4.5 В, 700 мВ
Цена 0 92
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.05
mounting type Surface Mount
length 1.68mm
package type SOT-416 (SC-75A)
minimum operating temperature -55 °C
width 0.86mm
pin count 3
maximum operating temperature +150 °C
height 0.8mm
number of elements per chip 1
channel type N
transistor configuration Single
maximum drain source voltage 20 V
maximum gate source voltage -6 V, +6 V
maximum continuous drain current 200 mA
transistor material Si
maximum drain source resistance 9 Ω
channel mode Enhancement
minimum gate threshold voltage 0.4V
maximum power dissipation 280 mW
typical gate charge @ vgs 750 nC @ 4.5 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль