Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	SI1029X-T1-GE3, Dual N/P-Channel MOSFET, 190 mA, 300 mA, 60 V, 6-Pin SC-89-6 SI1029X-T1-GE3
Цена	0 ₽	90 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
mounting type	—	Surface Mount
package type	—	SC-89-6
minimum operating temperature	—	-55 C
width	—	1.7mm
pin count	—	6
maximum operating temperature	—	+150 C
number of elements per chip	—	2
channel type	—	N, P
transistor configuration	—	Isolated
maximum drain source voltage	—	60 V
maximum gate source voltage	—	-20 V, +20 V
maximum continuous drain current	—	190 mA, 300 mA
transistor material	—	Si
maximum drain source resistance	—	3 Ω, 8 Ω
channel mode	—	Enhancement
minimum gate threshold voltage	—	1V
maximum power dissipation	—	250 mW
typical gate charge @ vgs	—	1700 nC 15 V, 750 nC 4.5 V