Сравнение

IRLR110PBF, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 2,7А, 25Вт, DPAK
Цена 240
Информация о производителе
Основные
вес, г 1.5
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка Tube
упаковка / блок TO-252-3
длина 6.73 mm
pd - рассеивание мощности 25 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 4.3 A
qg - заряд затвора 6.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 540 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль