Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	IRL510PBF, Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Цена	52 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вид монтажа	Through Hole
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 175 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-220AB-3
время нарастания	47 ns
время спада	18 ns
pin count	3
product category	Power MOSFET
pd - рассеивание мощности	43 W
количество каналов	1 Channel
automotive	No
eu rohs	compliant
lead shape	Through Hole
maximum operating temperature (°c)	175
mounting	Through Hole
part status	active
pcb changed	3
standard package name	TO-220
supplier package	TO-220AB
eccn (us)	ear99
maximum power dissipation (mw)	43000
minimum operating temperature (°c)	-55
configuration	Single
hts	8541.29.00.95
package height	9.01(Max)
package length	10.41(Max)
package width	4.7(Max)
Вес и габариты	—
технология	Si
number of elements per chip	1
конфигурация	Single
channel type	N
tab	Tab
id - непрерывный ток утечки	5.6 A
qg - заряд затвора	6.1 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	540 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	100 V
vgs - напряжение затвор-исток	5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1 V
канальный режим	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	1.9 S
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	16 ns
типичное время задержки при включении	9.3 ns
channel mode	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	5.6
maximum drain source resistance (mohm)	540@5V
maximum drain source voltage (v)	100
maximum gate source voltage (v)	±10
typical fall time (ns)	18
typical gate charge @ vgs (nc)	6.1(Max)@5V
typical input capacitance @ vds (pf)	250@25V
typical rise time (ns)	47
typical turn-off delay time (ns)	16
typical turn-on delay time (ns)	9.3
military	No