Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]	IRFU320PBF, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 400 В, 3.1 А, 1.8 Ом, TO-251AA, Through Hole
Цена	130 ₽	360 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
артикул	NCE3050-TO220	—
вес, г	2	0.4
Вес и габариты	—	—
максимальная рабочая температура	—	150 C
pin count	—	3
product category	—	Power MOSFET
количество выводов	—	3вывод(-ов)
automotive	—	No
eu rohs	—	Compliant
maximum operating temperature (°c)	—	150
mounting	—	Through Hole
part status	—	Active
pcb changed	—	3
ppap	—	No
standard package name	—	TO-251
supplier package	—	IPAK
eccn (us)	—	EAR99
maximum power dissipation (mw)	—	2500
minimum operating temperature (°c)	—	-55
configuration	—	Single
number of elements per chip	—	1
channel type	—	N Channel
tab	—	Tab
рассеиваемая мощность	—	42Вт
power dissipation	—	42Вт
напряжение истока-стока vds	—	400В
полярность транзистора	—	N Канал
стиль корпуса транзистора	—	TO-251AA
непрерывный ток стока	—	3.1А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	1.8Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	4В
channel mode	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	3.1
maximum drain source resistance (mohm)	—	1800 10V
maximum drain source voltage (v)	—	400
maximum gate source leakage current (na)	—	100
maximum gate source voltage (v)	—	±20
maximum gate threshold voltage (v)	—	4
maximum idss (ua)	—	25
typical fall time (ns)	—	13
typical gate charge @ 10v (nc)	—	20(Max)
typical gate charge @ vgs (nc)	—	20(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	350 25V
typical rise time (ns)	—	14
typical turn-off delay time (ns)	—	30
typical turn-on delay time (ns)	—	10
монтаж транзистора	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	1.8Ом