Сравнение

IRFSL11N50APBF, Транзистор N-МОП, полевой, 500В, 11А, 190Вт, I2PAK
Цена 0 480
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 1.57
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка Tube
упаковка / блок TO-262-3
серия IRFSL
длина 10.67 mm
pd - рассеивание мощности 190 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 11 A
qg - заряд затвора 51 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 550 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль