Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220]	IRFR224PBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 250В, 2,4А, 42Вт, DPAK	VFD015M21A (1,5kW 220V) Преобразователь частоты
Цена	130 ₽	220 ₽	11 150 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
артикул	NCE3050-TO220	—	VFD015M21A
вес, г	2	1.5	—
Вес и габариты	—	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)	—
mounting type	—	Surface Mount	—
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)	—
package	—	Tube	—
package / case	—	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	—
rohs status	—	ROHS3 Compliant	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	—
категория продукта	—	МОП-транзистор	—
подкатегория	—	MOSFETs	—
размер фабричной упаковки	—	3000	—
тип продукта	—	MOSFET	—
торговая марка	—	Vishay / Siliconix	—
упаковка	—	Tube	—
упаковка / блок	—	TO-252-3	—
eccn	—	EAR99	—
htsus	—	8541.29.0095	—
серия	—	IRFR	—
supplier device package	—	D-Pak	—
длина	—	6.73 mm	—
pin count	—	3	—
product category	—	Power MOSFET	—
automotive	—	No	—
eu rohs	—	Compliant with Exemption	—
maximum operating temperature (°c)	—	150	—
mounting	—	Surface Mount	—
part status	—	Active	—
pcb changed	—	2	—
ppap	—	No	—
standard package name	—	TO-252	—
supplier package	—	DPAK	—
base product number	—	IRFR224 ->	—
eccn (us)	—	EAR99	—
maximum power dissipation (mw)	—	2500	—
minimum operating temperature (°c)	—	-55	—
configuration	—	Single	—
технология	—	Si	—
number of elements per chip	—	1	—
channel type	—	N	—
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)	—
tab	—	Tab	—
channel mode	—	Enhancement	—
maximum continuous drain current (a)	—	3.8	—
maximum drain source resistance (mohm)	—	1100 10V	—
maximum drain source voltage (v)	—	250	—
maximum gate source leakage current (na)	—	100	—
maximum gate source voltage (v)	—	±20	—
maximum gate threshold voltage (v)	—	4	—
maximum idss (ua)	—	25	—
typical fall time (ns)	—	12	—
typical gate charge @ 10v (nc)	—	14(Max)	—
typical gate charge @ vgs (nc)	—	14(Max)10V	—
typical input capacitance @ vds (pf)	—	260 25V	—
typical rise time (ns)	—	13	—
typical turn-off delay time (ns)	—	20	—
typical turn-on delay time (ns)	—	7	—
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	3.8A (Tc)	—
drain to source voltage (vdss)	—	250V	—
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	10V	—
fet type	—	N-Channel	—
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	14nC @ 10V	—
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	260pF @ 25V	—
power dissipation (max)	—	2.5W (Ta), 42W (Tc)	—
rds on (max) @ id, vgs	—	1.1Ohm @ 2.3A, 10V	—
vgs (max)	—	В±20V	—
vgs(th) (max) @ id	—	4V @ 250ВµA	—