Сравнение

AS7805ADTR-G1 AP7384-70V-A IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Цена 0 0 120
Информация о производителе
Основные
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка Ammo Pack Tube
упаковка / блок TO-92-3 TO-252-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
серия IRF
время нарастания 73 ns
время спада 57 ns
pin count 3
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 150 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c) 175
mounting surface mount
part status active
pcb changed 2
ppap No
standard package name TO-263
supplier package D2PAK
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 150000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type P
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 19 A
qg - заряд затвора 61 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 6.2 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 34 ns
типичное время задержки при включении 16 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 19
maximum drain source resistance (mohm) 200 10V
maximum drain source voltage (v) 100
maximum gate source voltage (v) ±20
typical fall time (ns) 57
typical gate charge @ 10v (nc) 61(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 61(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf) 1400 25V
typical rise time (ns) 73
typical turn-off delay time (ns) 34
typical turn-on delay time (ns) 16
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль