Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A IRF9540SPBF, Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Цена 0 0 0 0 120
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 175 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C 55 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 TO-252-3
серия AP7384 IRF
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack Tube
время нарастания 73 ns
время спада 57 ns
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 150 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c) 175
mounting surface mount
part status active
pcb changed 2
ppap No
standard package name TO-263
supplier package D2PAK
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 150000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type P
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 19 A
qg - заряд затвора 61 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 100 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 6.2 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 34 ns
типичное время задержки при включении 16 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 19
maximum drain source resistance (mohm) 200 10V
maximum drain source voltage (v) 100
maximum gate source voltage (v) ±20
typical fall time (ns) 57
typical gate charge @ 10v (nc) 61(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 61(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf) 1400 25V
typical rise time (ns) 73
typical turn-off delay time (ns) 34
typical turn-on delay time (ns) 16
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль