Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	IRF840LCPBF, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 500В, 8А, Idm: 5,1А, 125Вт, TO220AB
Цена	310 ₽
Информация о производителе	—
Производитель	Vishay
Основные	—
вес, г	2
moisture sensitivity level (msl)	1 (Unlimited)
mounting type	Through Hole
operating temperature	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tube
package / case	TO-220-3
rohs status	ROHS3 Compliant
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+150 °C
минимальная рабочая температура	-55 °C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	50
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay / Siliconix
упаковка	Tube
eccn	EAR99
htsus	8541.29.0095
серия	IRF
supplier device package	TO-220AB
длина	10.41мм
тип корпуса	TO-220AB
тип монтажа	Монтаж на плату в отверстия
число контактов	3
размеры	10.41 x 4.7 x 9.01мм
base product number	IRF840 ->
Вес и габариты	—
технология	Si
количество элементов на ис	1
максимальное рассеяние мощности	125 W
тип канала	N
technology	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
transistor configuration	Одинарный
типичное время задержки выключения	27 нс
максимальное сопротивление сток-исток	850 mΩ
максимальное напряжение затвор-исток	-30 V, +30 V
максимальное напряжение сток-исток	500 V
типичный заряд затвора при vgs	39 нКл при 10 В
номер канала	Поднятие
current - continuous drain (id) @ 25в°c	8A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	10V
fet type	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	39nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	1100pF @ 25V
power dissipation (max)	125W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	850mOhm @ 4.8A, 10V
vgs (max)	В±30V
vgs(th) (max) @ id	4V @ 250ВµA
максимальный непрерывный ток стока	8 A
материал транзистора	Кремний
типичное время задержки включения	12 нс
minimum gate threshold voltage	2V
категория	Мощный МОП-транзистор
типичная входная емкость при vds	1100 pF @ 25 V