Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70SA-7 IRF830ALPBF, MOSFET IRF830ALPBF
Цена 0 0 0 0 510
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Through Hole
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
maximum operating temperature +125 C +125 °C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка / блок SOT-23-3
серия AP7384
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-262-3 Long Leads, IВІPak, TO-262AA
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package I2PAK
base product number IRF830 ->
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000
manufacturer: Vishay
maximum operating temperature: +150 C
minimum operating temperature: -55 C
mounting style: Through Hole
product category: MOSFET
product type: MOSFET
series: IRF
subcategory: MOSFETs
packaging: Tube
package/case: TO-262-3
pd - power dissipation: 3.1 W
technology MOSFET (Metal Oxide)
number of channels: 1 Channel
technology: Si
configuration: Single
current - continuous drain (id) @ 25в°c 5A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 500V
drive voltage (max rds on, min rds on) 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 24nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 620pF @ 25V
power dissipation (max) 3.1W (Ta), 74W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 1.4Ohm @ 3A, 10V
vgs (max) В±30V
vgs(th) (max) @ id 4.5V @ 250ВµA
channel mode: Enhancement
id - continuous drain current: 5 A
qg - gate charge: 24 nC
rds on - drain-source resistance: 1.4 Ohms
transistor polarity: N-Channel
vds - drain-source breakdown voltage: 500 V
vgs - gate-source voltage: -30 V, +30 V
vgs th - gate-source threshold voltage: 2 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль