Сравнение

IRF820APBF-BE3
Цена 0 530
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220AB-3
серия IRF
время нарастания 12 ns
время спада 13 ns
pd - рассеивание мощности 50 W
другие названия товара № IRF820APBF
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 2.5 A
qg - заряд затвора 17 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 3 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 500 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 16 ns
типичное время задержки при включении 8.1 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль