Сравнение

NCE3050, Транзистор MOSFET N-канал 30V 50A [TO-220] KBP210 (RS207), Диодный мост 2А 1000В [KBP] VFD015M21A (1,5kW 220V) Преобразователь частоты AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 AP7384-33Y-13 IRLZ14PBF
Цена 130 120 11 150 0 0 0 0 0 39
Информация о производителе
Основные
артикул NCE3050-TO220 VFD015M21A
вес, г 2 1.95 1 2.6
Вес и габариты
способ монтажа в отверстие
рабочая температура,с -55…+125
количество фаз 1
максимальное прямое напряжение,в 1.1
максимальное импульсное обратное напряжение,в 1200
максимальное постоянное обратное напряжение,в 1000
при iпр.,а 1
максимальный прямой(выпрямленный за полупериод) ток,а 2
максимальный обратный ток,мка 10
максимальный допустимый прямой импульсный ток,а 50
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-220-3 TO-252-2
number of outputs 1 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 C -40 °C
maximum operating temperature 125В°C +125 C +125 °C
output type Fixed Fixed Fixed
output voltage 5V 3.3 V 5 V
output current 1A
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5uA 2.5µA
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Through Hole
максимальная рабочая температура 125 C + 175 C
минимальная рабочая температура -40 C 55 C
выходной ток 50мА
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3 3
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-220-3
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 50
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Tube
упаковка / блок TO-220AB-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия IRLZ
supplier device package TO-220AB
время нарастания 110 ns
время спада 26 ns
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 43 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs Compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 175
mounting Through Hole
part status Active
pcb changed 3
standard package name TO-220
supplier package TO-220AB
base product number IRLZ14 ->
eccn (us) EAR99
maximum power dissipation (mw) 43000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
hts 8541.29.00.95
package height 9.01(Max)
package length 10.41(Max)
package width 4.7(Max)
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type N
technology MOSFET (Metal Oxide)
other related documents http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
tab Tab
id - непрерывный ток утечки 10 A
qg - заряд затвора 8.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 3.5 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 17 ns
типичное время задержки при включении 9.3 ns
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 10
maximum drain source resistance (mohm) 200@5V
maximum drain source voltage (v) 60
maximum gate source voltage (v) ±10
maximum gate threshold voltage (v) 2
typical fall time (ns) 26
typical gate charge @ vgs (nc) 8.4(Max)@5V
typical input capacitance @ vds (pf) 400@25V
typical rise time (ns) 110
typical turn-off delay time (ns) 17
typical turn-on delay time (ns) 9.3
current - continuous drain (id) @ 25в°c 10A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 60V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4V, 5V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 8.4nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 400pF @ 25V
power dissipation (max) 43W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 200mOhm @ 6A, 5V
vgs (max) В±10V
vgs(th) (max) @ id 2V @ 250ВµA
military No
typical output capacitance (pf) 170
typical gate to drain charge (nc) 6(Max)
typical gate to source charge (nc) 3.5(Max)
typical reverse recovery charge (nc) 340
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль