Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AP7384-70SA-7 IRFS11N50APBF
Цена 0 0 0 130
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 2.38
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500
input voltage, max: 25 V
input voltage, min: 7.5 V
load regulation: 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C
minimum operating temperature: -40 C
mounting style: SMD/SMT
number of outputs: 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators
series: AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes
output current: 1 A
output voltage: 5 V
output type: Fixed
quiescent current: 6 mA
polarity: Positive
line regulation: 25 mV
package / case: TO-252-2
вид монтажа SMD/SMT SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators
размер фабричной упаковки 3000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay / Siliconix
упаковка / блок SOT-23-3 TO-263-3
серия AP7384 IRFS
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
упаковка Tube
длина 10.67 mm
pin count 3
product category Power MOSFET
automotive No
eu rohs Compliant with Exemption
maximum operating temperature (°c) 150
mounting surface mount
part status active
pcb changed 2
standard package name TO-263
supplier package D2PAK
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 170000
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single
hts 8542.39.00.01
package height 4.83(Max)
package length 10.41(Max)
package width 9.65(Max)
технология Si
number of elements per chip 1
channel type N
tab Tab
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 11
maximum drain source resistance (mohm) 520@10V
maximum drain source voltage (v) 500
maximum gate source voltage (v) ±30
typical fall time (ns) 28
typical gate charge @ 10v (nc) 52(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 52(Max)@10V
typical input capacitance @ vds (pf) 1423@25V
typical rise time (ns) 35
typical turn-off delay time (ns) 32
typical turn-on delay time (ns) 14
military No
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль