Сравнение

IRF630SPBF, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 200В; 5,7А; Idm: 36А; 74Вт; D2PAK
Цена 220
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 1000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка Tube
упаковка / блок TO-263-3
серия IRF
длина 10.67 mm
pd - рассеивание мощности 74 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 9 A
qg - заряд затвора 43 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль