Сравнение

SQ2364EES-T1_GE3
Цена 210
Информация о производителе
Основные
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок SOT-23-3
время нарастания 11 ns
время спада 13 ns
pd - рассеивание мощности 3 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 2 A
qg - заряд затвора 2.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 240 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 460 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 8.8 S
полярность транзистора N-Channel
типичное время задержки выключения 26 ns
типичное время задержки при включении 6 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль