Сравнение

SIR680ADP-T1-RE3
Цена 0 960
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay Semiconductors
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
время нарастания 8 ns, 15 ns
время спада 9 ns, 12 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 104 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 125 A
qg - заряд затвора 43 nC, 55 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 2.88 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 80 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 3.5 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 68 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора N - Channel
типичное время задержки выключения 30 ns, 30 ns
типичное время задержки при включении 17 ns, 19 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль