Сравнение

	AP7383-44W5-7	SIHG32N50D-GE3
Цена	0 ₽	1 590 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Through Hole
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-247-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	500
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Vishay / Siliconix
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-247-3
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	D
supplier device package	—	TO-247AC
длина	—	15.87 mm
время нарастания	—	75 ns
время спада	—	55 ns
линейка продукции	—	D
количество выводов	—	3вывод(-ов)
pd - рассеивание мощности	—	390 W
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	SIHG32 ->
уровень чувствительности к влажности (msl)	—	MSL 1-Безлимитный
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
channel type	—	N Channel
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
рассеиваемая мощность	—	390Вт
power dissipation	—	390Вт
напряжение истока-стока vds	—	500В
id - непрерывный ток утечки	—	30 A
qg - заряд затвора	—	64 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	150 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	500 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	5 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
типичное время задержки выключения	—	58 ns
типичное время задержки при включении	—	27 ns
стиль корпуса транзистора	—	TO-247AC
непрерывный ток стока	—	30А
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	—	0.125Ом
напряжение измерения rds(on)	—	10В
пороговое напряжение vgs	—	3В
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	30A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	500V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	96nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	2550pF @ 100V
power dissipation (max)	—	390W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	150mOhm @ 16A, 10V
vgs (max)	—	В±30V
vgs(th) (max) @ id	—	5V @ 250ВµA
монтаж транзистора	—	Through Hole
drain source on state resistance	—	0.125Ом