Сравнение

SiHB12N60E-GE3
Цена 0 720
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа: SMD/SMT
категория продукта: МОП-транзистор
максимальная рабочая температура: +150 c
минимальная рабочая температура: -55 C
подкатегория: MOSFETs
производитель: Vishay
серия: E
тип продукта: MOSFET
торговая марка: Vishay/Siliconix
размер фабричной упаковки: 1000
упаковка: Tube
упаковка / блок: TO-263-3
время нарастания: 19 ns
время спада: 19 ns
pd - рассеивание мощности: 147 W
количество каналов: 1 Channel
технология: Si
конфигурация: Single
id - непрерывный ток утечки: 12 A
qg - заряд затвора: 29 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток: 380 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V
vgs - напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : 4 V
канальный режим: Enhancement
полярность транзистора: N-Channel
типичное время задержки выключения: 35 ns
типичное время задержки при включении: 14 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль