Сравнение

AS7805ADTR-G1, Linear Voltage Regulators 1A 3-Term POS Reg Output 1A AS7805ADTR-G1 AP7384-70V-A SI2307CDS-T1-GE3
Цена 0 0 0 48
Информация о производителе
Основные
вес, г 1 0.047
factory pack quantity: factory pack quantity: 2500 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: SMD/SMT SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Reel, Cut Tape, MouseReel Reel, Cut Tape, MouseReel
Вес и габариты
moisture sensitive: Yes Yes
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
line regulation: 25 mV 25 mV
package / case: TO-252-2 TO-252-2
вид монтажа Through Hole
категория продукта LDO регуляторы напряжения
количество выходов 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C
минимальная рабочая температура 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000
тип продукта LDO Voltage Regulators
торговая марка Diodes Incorporated
упаковка Ammo Pack
упаковка / блок TO-92-3
выходной ток 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
тип выхода Fixed
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
package / case SOT-23-3
minimum operating temperature -55 C
factory pack quantity 3000
manufacturer Vishay
maximum operating temperature +150 C
mounting style SMD/SMT
packaging Cut Tape or Reel
product category MOSFET
product type MOSFET
series SI2
subcategory MOSFETs
configuration Single
fall time 7.7 ns
rise time 13 ns
number of channels 1 Channel
tradename TrenchFET
part # aliases SI2307CDS-GE3
technology Si
pd - power dissipation 1.8 W
channel mode Enhancement
rds on - drain-source resistance 88 mOhms
transistor polarity P-Channel
vds - drain-source breakdown voltage 30 V
vgs - gate-source voltage 10 V
id - continuous drain current 3.5 A
typical turn-on delay time 5.5 ns
typical turn-off delay time 17 ns
forward transconductance - min 7 S
qg - gate charge 4.1 nC
transistor type 1 P-Channel
vgs th - gate-source threshold voltage 1 V
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль