Сравнение

SI1050X-T1-GE3
Цена 0 160
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.032
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок SC-89-6
серия SI1
время спада 6 ns
коммерческое обозначение TrenchFET
pd - рассеивание мощности 236 mW
другие названия товара № SI1050X-GE3
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 1.34 A
qg - заряд затвора 7.7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 86 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 8 V
vgs - напряжение затвор-исток 4.5 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 350 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 4.12 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 25 ns
типичное время задержки при включении 6.8 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль