Сравнение

AP7384-33Y-13 AP7384-70V-A IRL620SPBF
Цена 0 0 0 0 640
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V 0.05%/V
load regulation 0.5 V 0.5 V
mounting type Surface Mount Through Hole Surface Mount
number of outputs 1 1
максимальная рабочая температура 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура -40 C 40 C 55 C
выходной ток 50мА 50 mA
линейка продукции 3.3V 50mA LDO Voltage Regulators
package type SOT-89 TO-92
minimum operating temperature -40 C -40 °C
width 2.6mm 3.8mm
pin count 3+Tab 3
maximum operating temperature +125 C +125 °C
количество выводов 3вывод(-ов)
максимальное входное напряжение 40В
тип выхода фиксированный Fixed
output type Fixed Fixed
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 3-168 часов
output voltage 3.3 V 5 V
minimum input voltage 3.3 V 3.3 V
polarity Positive Positive
maximum input voltage 40 V 40 V
maximum output current 50mA 50mA
Вес и габариты
падение напряжения vdo 500мВ
стиль корпуса стабилизатора (ldo) SOT-89
quiescent current 2.5uA 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage Low Dropout Voltage
номинальное значение фиксированного выходного напряжения
вид монтажа Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output
подкатегория PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Regulators
размер фабричной упаковки 2000 1000
тип продукта LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Vishay Semiconductors
упаковка Ammo Pack Tube
упаковка / блок TO-92-3 TO-252-3
нестабильность выходной нагрузки 0.5 %
выходное напряжение 7 V
полярность Positive
входное напряжение (макс.) 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB
вес, г 1.438
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tube
package / case TO-263-3, DВІPak (2 Leads + Tab), TO-263AB
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package D2PAK
pd - рассеивание мощности 50 W
количество каналов 1 Channel
base product number IRL620 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 5.2 A
qg - заряд затвора 16 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 800 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 200 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c 5.2A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 200V
drive voltage (max rds on, min rds on) 4V, 10V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 16nC @ 5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 360pF @ 25V
power dissipation (max) 3.1W (Ta), 50W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 800mOhm @ 3.1A, 10V
vgs (max) В±10V
vgs(th) (max) @ id 2V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль