Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SI5902BDC-T1-E3
Цена	400 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.085
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Vishay Semiconductors
упаковка / блок	ChipFET-8
серия	SI54
длина	3.05 mm
коммерческое обозначение	TrenchFET
pd - рассеивание мощности	3.12 W
другие названия товара №	SI5902BDC-E3
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Dual
id - непрерывный ток утечки	4 A
qg - заряд затвора	7 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	65 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	1.5 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel