Сравнение

IRFD9020PBF
Цена 0 510
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.7568
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Tube
упаковка / блок HVMDIP-4
серия IRFD
длина 6.29 mm
pin count 4
product category Power MOSFET
pd - рассеивание мощности 1.3 W
количество каналов 1 Channel
automotive No
eu rohs compliant
lead shape Through Hole
maximum operating temperature (°c) 175
mounting Through Hole
part status active
pcb changed 4
ppap No
standard package name DIP
supplier package HVMDIP
eccn (us) ear99
maximum power dissipation (mw) 1300
minimum operating temperature (°c) -55
configuration Single Dual Drain
технология Si
number of elements per chip 1
конфигурация Single
channel type P
id - непрерывный ток утечки 1.6 A
qg - заряд затвора 19 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 280 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора P-Channel
channel mode Enhancement
maximum continuous drain current (a) 1.6
maximum drain source resistance (mohm) 280 10V
maximum drain source voltage (v) 60
maximum gate source voltage (v) ±20
maximum gate threshold voltage (v) 4
typical fall time (ns) 29
typical gate charge @ 10v (nc) 19(Max)
typical gate charge @ vgs (nc) 19(Max)10V
typical input capacitance @ vds (pf) 570 25V
typical rise time (ns) 68
typical turn-off delay time (ns) 15
typical turn-on delay time (ns) 13
typical output capacitance (pf) 360
typical gate to drain charge (nc) 11(Max)
typical gate to source charge (nc) 5.4(Max)
typical reverse recovery charge (nc) 320
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль