Сравнение

AP7384-70SA-7 AP7384-70V-A XP231N0201TR-G
Цена 0 0 0 110
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
вид монтажа SMD/SMT Through Hole SMD/SMT
категория продукта LDO регуляторы напряжения LDO регуляторы напряжения МОП-транзистор
количество выходов 1 Output 1 Output
максимальная рабочая температура + 125 C + 125 C + 150 C
минимальная рабочая температура 40 C 40 C
подкатегория PMIC - Power Management ICs PMIC - Power Management ICs MOSFETs
продукт LDO Voltage Regulators LDO Regulators
размер фабричной упаковки 3000 2000 3000
тип продукта LDO Voltage Regulators LDO Voltage Regulators MOSFET
торговая марка Diodes Incorporated Diodes Incorporated Torex Semiconductor
упаковка / блок SOT-23-3 TO-92-3 SOT-23-3
серия AP7384
выходной ток 50 mA 50 mA
нестабильность выходной нагрузки 0.5 % 0.5 %
тип выхода Fixed Fixed
выходное напряжение 7 V 7 V
полярность Positive Positive
входное напряжение (макс.) 40 V 40 V
входное напряжение мин. 3.3 V 3.3 V
нестабильность выходного напряжения или тока 0.05 %/V 0.05 %/V
напряжение отпускания 500 mV 500 mV
подавление пульсаций питания - типич. 60 dB 60 dB
упаковка Ammo Pack
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
rohs status ROHS3 Compliant
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
reach status REACH Unaffected
время нарастания 5 ns
время спада 8 ns
pd - рассеивание мощности 400 mW
количество каналов 1 Channel
base product number XP231 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 200 mA
qg - заряд затвора 0.18 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 5 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 800 mV
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 20 ns
типичное время задержки при включении 7 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 200mA (Ta)
drain to source voltage (vdss) 30V
drive voltage (max rds on, min rds on) 2.5V, 4.5V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 180pC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 6.5pF @ 10V
power dissipation (max) 400mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 5Ohm @ 10mA, 4.5V
vgs (max) В±20V
vgs(th) (max) @ id 1.8V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль