Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	TPS1100PW
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	590 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	—
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	—
width	3.8mm	—	—	—
pin count	3	—	—	—
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	—
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	40 C	—	40 C
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	—	LDO Regulators	—	MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки	—	2000	—	150
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	Texas Instruments
упаковка	—	Ammo Pack	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-92-3	—	TSSOP-8
выходной ток	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
вес, г	—	—	—	0.039
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	—	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	—	—	Tube
package / case	—	—	—	8-TSSOP (0.173"", 4.40mm Width)
rohs status	—	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	8541.21.0095
серия	—	—	—	TPS1100
reach status	—	—	—	REACH Unaffected
supplier device package	—	—	—	8-TSSOP
длина	—	—	—	4.4 mm
время нарастания	—	—	—	10 ns
время спада	—	—	—	10 ns
pd - рассеивание мощности	—	—	—	504 mW
количество каналов	—	—	—	1 Channel
base product number	—	—	—	TPS1100 ->
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
technology	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product page	—	—	—	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	1.27 A
qg - заряд затвора	—	—	—	5.45 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	400 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	15 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	15 V, + 2 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	1.5 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	2.5 S
полярность транзистора	—	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	13 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	4.5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	1.27A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	15V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	2.7V, 10V
fet type	—	—	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	5.45nC @ 10V
power dissipation (max)	—	—	—	504mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	180mOhm @ 1.5A, 10V
vgs (max)	—	—	—	+2V, -15V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	1.5V @ 250ВµA