Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	TPN4R303NL,L1Q
Цена	310 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.02
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	5000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	TSON-8
серия	TPN4R303NL
длина	3.1 mm
время нарастания	4.5 ns
время спада	3.5 ns
коммерческое обозначение	U-MOSVIII-H
pd - рассеивание мощности	34 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
id - непрерывный ток утечки	63 A
qg - заряд затвора	14.8 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	6.3 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2.3 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	19 ns
типичное время задержки при включении	10.5 ns