Сравнение

	TPS1120D, Транзистор: P-MOSFET x2; полевой; -15В; -0,53А; Idm: 7А; SO8
Цена	500 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.1
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 125 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	MOSFETs
продукт	MOSFET Small Signal
размер фабричной упаковки	75
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Texas Instruments
упаковка	Tube
упаковка / блок	SOIC-8
серия	TPS1120
длина	4.9 mm
время нарастания	10 ns
время спада	10 ns
pd - рассеивание мощности	840 mW
количество каналов	2 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Dual
id - непрерывный ток утечки	1.17 A
rds вкл - сопротивление сток-исток	180 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	15 V
vgs - напряжение затвор-исток	15 V, 2 V
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	P-Channel
тип транзистора	2 P-Channel
типичное время задержки выключения	13 ns
типичное время задержки при включении	4.5 ns