Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	TK50P04M1(T6RSS-Q), N-Channel MOSFET, 50 A, 40 V, 3-Pin DP TK50P04M1(T6RSS-Q)
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	83 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	—	—	—
load regulation	0.5 V	—	—	—
mounting type	Through Hole	—	—	Surface Mount
number of outputs	1	—	—	—
package type	TO-92	—	—	DP
minimum operating temperature	-40 °C	—	—	-55 C
width	3.8mm	—	—	6.1mm
pin count	3	—	—	3
maximum operating temperature	+125 °C	—	—	+150 C
output type	Fixed	—	—	—
output voltage	5 V	—	—	—
minimum input voltage	3.3 V	—	—	—
polarity	Positive	—	—	—
maximum input voltage	40 V	—	—	—
maximum output current	50mA	—	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
quiescent current	2.5µA	—	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—	—	—
вид монтажа	—	SMD/SMT	—	—
категория продукта	—	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	—	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	—	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	—	40 C	—	—
подкатегория	—	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	—	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	—	3000	—	—
тип продукта	—	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	—	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	—	SOT-23-3	—	—
серия	—	AP7384	—	—
выходной ток	—	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	—	0.5 %	—	—
тип выхода	—	Fixed	—	—
выходное напряжение	—	7 V	—	—
полярность	—	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	—	40 V	—	—
входное напряжение мин.	—	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	—	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	—	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	—	60 dB	—	—
series	—	—	—	TK
number of elements per chip	—	—	—	1
channel type	—	—	—	N
transistor configuration	—	—	—	Single
maximum drain source voltage	—	—	—	40 V
maximum gate source voltage	—	—	—	-20 V, +20 V
maximum continuous drain current	—	—	—	50 A
transistor material	—	—	—	Si
maximum gate threshold voltage	—	—	—	2.3V
maximum drain source resistance	—	—	—	3.8 mΩ
channel mode	—	—	—	Enhancement
maximum power dissipation	—	—	—	60 W
typical gate charge @ vgs	—	—	—	20 nC 5 V, 38 nC 10 V