Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	IRFBC30APBF, МОП транзистор
Цена	0 ₽	81 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
вид монтажа	Through Hole	Through Hole
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	55 C
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	MOSFETs
продукт	LDO Regulators	—
размер фабричной упаковки	2000	1000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Vishay Semiconductors
упаковка	Ammo Pack	Tube
упаковка / блок	TO-92-3	TO-220-3
выходной ток	50 mA	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—
тип выхода	Fixed	—
выходное напряжение	7 V	—
полярность	Positive	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—
Вес и габариты	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—
напряжение отпускания	500 mV	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Through Hole
operating temperature	—	-55В°C ~ 150В°C (TJ)
package	—	Tube
package / case	—	TO-220-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	IRFBC
supplier device package	—	TO-220AB
длина	—	10.41 mm
pd - рассеивание мощности	—	74 W
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	IRFBC30 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
other related documents	—	http://www.vishay.com/docs/88869/packaging.pdf
id - непрерывный ток утечки	—	3.6 A
qg - заряд затвора	—	23 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	2.2 Ohms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	2 V
канальный режим	—	Enhancement
полярность транзистора	—	N-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	3.6A (Tc)
drain to source voltage (vdss)	—	600V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	23nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	510pF @ 25V
power dissipation (max)	—	74W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	2.2Ohm @ 2.2A, 10V
vgs (max)	—	В±30V
vgs(th) (max) @ id	—	4.5V @ 250ВµA
крутизна характеристики s,а/в	—	2.1
максимальное пороговое напряжение затвор-исток uзи макс.,в	—	4.5
сопротивление канала в открытом состоянии rси вкл.,мом	—	2200
температура, с	—	-55…+150