Сравнение

TK35N65W5,S1F
Цена 0 2 480
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 38
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 30
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок TO-247-3
серия TK35N65W
длина 15.94 mm
pd - рассеивание мощности 270 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 35 A
qg - заряд затвора 115 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 80 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 650 V
vgs - напряжение затвор-исток 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 4.5 V
канальный режим Enhancement
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль