Сравнение

	$AP7384-70SA-7 Питание\ИС для управления питанием\LDO регуляторы напряженияLDO регуляторы напряжения LDO CMOS LowCurr SOT23 T&R 3K$ AP7384-70SA-7	AP7383-44W5-7	$TK20J60W,S1VE Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзистор МОП-транзисторы серии DTMOSIV МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV используют современный одинарный эпитаксиальный процесс, который обеспечивает снижение R DS (on) на 30%, что является показателем качества ( FOM) для полевых МОП-транзисторов, по сравнению со своим предшественником, DTMOSIII. Это уменьшение R DS (on) позволяет размещать микросхемы с более низким R DS (on) в одних и тех же корпусах. Это помогает повысить эффективность и уменьшить размер источников питания. МОП-транзисторы Toshiba DTMOSIV идеально подходят для использования с импульсными регуляторами.$ TK20J60W,S1VE
Цена	0 ₽	0 ₽	1 610 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	—	—
серия	AP7384	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	4.6
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
package	—	—	Tube
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
series	—	—	*
base product number	—	—	TLP781 ->
вид монтажа:	—	—	Through Hole
категория продукта:	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура:	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура:	—	—	- 55 C
подкатегория:	—	—	MOSFETs
производитель:	—	—	Toshiba
тип продукта:	—	—	MOSFET
торговая марка:	—	—	Toshiba
размер фабричной упаковки:	—	—	25
упаковка:	—	—	Tube
упаковка / блок:	—	—	TO-3PN-3
время нарастания:	—	—	25 ns
время спада:	—	—	6 ns
коммерческое обозначение:	—	—	DTMOSIV
pd - рассеивание мощности:	—	—	165 W
количество каналов:	—	—	1 Channel
технология:	—	—	Si
конфигурация:	—	—	Single
id - непрерывный ток утечки:	—	—	20 A
qg - заряд затвора:	—	—	48 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток:	—	—	155 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток:	—	—	600 V
vgs - напряжение затвор-исток:	—	—	- 30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :	—	—	3.7 V
канальный режим:	—	—	Enhancement
полярность транзистора:	—	—	N-Channel
тип транзистора:	—	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения:	—	—	100 ns
типичное время задержки при включении:	—	—	50 ns