Сравнение

SIR826BDP-T1-RE3, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 80.8 А, 0.00435 Ом, PowerPAK SO, Surface Mo
Цена 360
Информация о производителе
Основные
вес, г 1
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка / блок PowerPAK-SO-8
серия SIR
время нарастания 8 ns
время спада 8 ns
коммерческое обозначение TrenchFET, PowerPAK
pd - рассеивание мощности 83 W
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 80.8 A
qg - заряд затвора 69 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 5.1 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 80 V
vgs - напряжение затвор-исток 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 2 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 65 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel TrenchFET Power MOSFET
типичное время задержки выключения 25 ns
типичное время задержки при включении 14 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль