Сравнение

Цена 160
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
rds on - drain-source resistance 15.3mО© @ 4A,4.5V
transistor polarity P Channel
vds - drain-source breakdown voltage 20V
vgs - gate-source voltage 1V @ 1mA
continuous drain current (id) @ 25в°c 10A
power dissipation-max (ta=25в°c) 1W
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль