Сравнение

AS7805AT-E1 AS7805ADTR-G1 SSM6J215FE(TE85L,F
Цена 0 0 0 0 130
Информация о производителе
Основные
number of outputs 1 1
minimum operating temperature -40В°C -40 °C
maximum operating temperature 125В°C +125 °C
output type Fixed Fixed
factory pack quantity: factory pack quantity: 1000 2500
input voltage, max: 25 V 25 V
input voltage, min: 7.5 V 7.5 V
load regulation: 20 mV 20 mV
manufacturer: Diodes Incorporated Diodes Incorporated
maximum operating temperature: +125 C +125 C
minimum operating temperature: -40 C -40 C
mounting style: Through Hole SMD/SMT
number of outputs: 1 Output 1 Output
product category: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
product type: Linear Voltage Regulators Linear Voltage Regulators
series: AS7805 AS7805
subcategory: PMIC-Power Management ICs PMIC-Power Management ICs
packaging: Tube Reel, Cut Tape, MouseReel
output voltage 5V 5 V
output current 1A
Вес и габариты
output current: 1 A 1 A
output voltage: 5 V 5 V
output type: Fixed Fixed
output configuration Positive
input voltage max 25V
quiescent current 6mA 2.5µA
quiescent current: 6 mA 6 mA
polarity: Positive Positive
voltage dropout (max) 2V @ 1A(typ)
psrr / ripple rejection - typ 70dB(120Hz)
line regulation: 25 mV 25 mV
psrr / ripple rejection - typ: 70 dB
package / case: TO-220-3 TO-252-2
moisture sensitive: Yes
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
package type TO-92
width 3.8mm
pin count 3
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
regulator type Low Dropout Voltage
вес, г 0.036
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case SOT-563, SOT-666
rohs status RoHS Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 4000
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок ES6-6
eccn EAR99
htsus 8541.21.0095
серия SSM6J213
supplier device package ES6
длина 1.6 mm
series U-MOSVI ->
pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
количество каналов 1 Channel
base product number TLP3023 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 3.4 A
qg - заряд затвора 10.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 154 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c 3.4A (Ta)
drain to source voltage (vdss) 20V
drive voltage (max rds on, min rds on) 1.5V, 4.5V
fet type P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 10.4nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 630pF @ 10V
power dissipation (max) 500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 59mOhm @ 3A, 4.5V
vgs (max) В±8V
vgs(th) (max) @ id 1V @ 1mA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль