Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AS7805AT-E1	AP7383-44W5-7	SSM6J215FE(TE85L,F
Цена	0 ₽	0 ₽	130 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
number of outputs	1	—	—
minimum operating temperature	-40В°C	—	—
maximum operating temperature	125В°C	—	—
output type	Fixed	—	—
factory pack quantity: factory pack quantity:	1000	—	—
input voltage, max:	25 V	—	—
input voltage, min:	7.5 V	—	—
load regulation:	20 mV	—	—
manufacturer:	Diodes Incorporated	—	—
maximum operating temperature:	+125 C	—	—
minimum operating temperature:	-40 C	—	—
mounting style:	Through Hole	—	—
number of outputs:	1 Output	—	—
product category:	Linear Voltage Regulators	—	—
product type:	Linear Voltage Regulators	—	—
series:	AS7805	—	—
subcategory:	PMIC-Power Management ICs	—	—
packaging:	Tube	—	—
output voltage	5V	—	—
output current	1A	—	—
Вес и габариты	—	—	—
output current:	1 A	—	—
output voltage:	5 V	—	—
output type:	Fixed	—	—
output configuration	Positive	—	—
input voltage max	25V	—	—
quiescent current	6mA	—	—
quiescent current:	6 mA	—	—
polarity:	Positive	—	—
voltage dropout (max)	2V @ 1A(typ)	—	—
psrr / ripple rejection - typ	70dB(120Hz)	—	—
line regulation:	25 mV	—	—
psrr / ripple rejection - typ:	70 dB	—	—
package / case:	TO-220-3	—	—
вес, г	—	—	0.036
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	150В°C (TJ)
package	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	SOT-563, SOT-666
rohs status	—	—	RoHS Compliant
вид монтажа	—	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	—	55 C
подкатегория	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	4000
тип продукта	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	Toshiba
упаковка / блок	—	—	ES6-6
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.21.0095
серия	—	—	SSM6J213
supplier device package	—	—	ES6
длина	—	—	1.6 mm
series	—	—	U-MOSVI ->
pd - рассеивание мощности	—	—	500 mW (1/2 W)
количество каналов	—	—	1 Channel
base product number	—	—	TLP3023 ->
технология	—	—	Si
конфигурация	—	—	Single
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	3.4 A
qg - заряд затвора	—	—	10.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	154 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	1 V
полярность транзистора	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	1 P-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	3.4A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	20V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	1.5V, 4.5V
fet type	—	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	10.4nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	630pF @ 10V
power dissipation (max)	—	—	500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	59mOhm @ 3A, 4.5V
vgs (max)	—	—	В±8V
vgs(th) (max) @ id	—	—	1V @ 1mA