Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	SSM6J215FE(TE85L,F
Цена	0 ₽	130 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
line regulation	0.05%/V	—
load regulation	0.5 V	—
mounting type	Through Hole	Surface Mount
number of outputs	1	—
package type	TO-92	—
minimum operating temperature	-40 °C	—
width	3.8mm	—
pin count	3	—
maximum operating temperature	+125 °C	—
output type	Fixed	—
output voltage	5 V	—
minimum input voltage	3.3 V	—
polarity	Positive	—
maximum input voltage	40 V	—
maximum output current	50mA	—
Вес и габариты	—	—
quiescent current	2.5µA	—
regulator type	Low Dropout Voltage	—
вес, г	—	0.036
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	150В°C (TJ)
package	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	SOT-563, SOT-666
rohs status	—	RoHS Compliant
вид монтажа	—	SMD/SMT
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	4000
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Toshiba
упаковка / блок	—	ES6-6
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.21.0095
серия	—	SSM6J213
supplier device package	—	ES6
длина	—	1.6 mm
series	—	U-MOSVI ->
pd - рассеивание мощности	—	500 mW (1/2 W)
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	TLP3023 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	3.4 A
qg - заряд затвора	—	10.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	154 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	20 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1 V
полярность транзистора	—	P-Channel
тип транзистора	—	1 P-Channel
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	3.4A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	20V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	1.5V, 4.5V
fet type	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	10.4nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	630pF @ 10V
power dissipation (max)	—	500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	59mOhm @ 3A, 4.5V
vgs (max)	—	В±8V
vgs(th) (max) @ id	—	1V @ 1mA