Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SSM6J214FE(TE85L,F
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	130 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	SMD/SMT
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	МОП-транзистор
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	MOSFETs
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	4000
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	MOSFET
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	Toshiba
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	SOT-563-6
серия	AP7384	—	—	SSM6J214FE
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	Reel, Cut Tape
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	—	150В°C
package	—	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	—	SOT-563, SOT-666
rohs status	—	—	—	RoHS Compliant
eccn	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	8541.21.0095
supplier device package	—	—	—	ES6
длина	—	—	—	1.6 mm
series	—	—	—	U-MOSVI ->
pd - рассеивание мощности	—	—	—	700 mW
количество каналов	—	—	—	1 Channel
base product number	—	—	—	2SK208 ->
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
technology	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	3.6 A
qg - заряд затвора	—	—	—	7.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	50 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	12 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	1.2 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	5.7 S
полярность транзистора	—	—	—	P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	75 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	15 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	3.6A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	1.8V, 10V
fet type	—	—	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	7.9nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	560pF @ 15V
power dissipation (max)	—	—	—	500mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	50mOhm @ 3A, 10V
vgs (max)	—	—	—	В±12V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	1.2V @ 1mA