Сравнение

SSM3K62TU,LF
Цена 140
Информация о производителе
Основные
вес, г 0.0066
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
mounting type Surface Mount
operating temperature 150В°C
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case 3-SMD, Flat Lead
rohs status RoHS Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Toshiba
упаковка / блок UFM-3
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
supplier device package UFM
series U-MOSVII-H ->
pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
количество каналов 1 Channel
base product number RN1104 ->
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки 800 mA
qg - заряд затвора 2 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 43 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 400 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 3 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 2653 ns
типичное время задержки при включении 332 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 800mA (Ta)
drain to source voltage (vdss) 20V
drive voltage (max rds on, min rds on) 1.2V, 4.5V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 2nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 177pF @ 10V
power dissipation (max) 1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs 57mOhm @ 800mA, 4.5V
vgs (max) В±8V
vgs(th) (max) @ id 1V @ 1mA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль