Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70SA-7	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	SSM3K36FS,LF
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	86 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
вид монтажа	SMD/SMT	Through Hole	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Voltage Regulators	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	3000	2000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	Diodes Incorporated	—	—
упаковка / блок	SOT-23-3	TO-92-3	—	—
серия	AP7384	—	—	—
выходной ток	50 mA	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	7 V	—	—
полярность	Positive	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	60 dB	—	—
упаковка	—	Ammo Pack	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	—	Surface Mount
operating temperature	—	—	—	150В°C (TJ)
package	—	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	—	SC-75, SOT-416
rohs status	—	—	—	RoHS Compliant
eccn	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	8541.21.0095
supplier device package	—	—	—	SSM
pin count	—	—	—	3
packaging	—	—	—	Tape and Reel
product category	—	—	—	Small Signal
series	—	—	—	U-MOSIII ->
automotive	—	—	—	No
eu rohs	—	—	—	compliant
maximum operating temperature (°c)	—	—	—	150
mounting	—	—	—	surface mount
part status	—	—	—	active
pcb changed	—	—	—	3
ppap	—	—	—	No
supplier package	—	—	—	SSM
base product number	—	—	—	TA58M08 ->
eccn (us)	—	—	—	ear99
maximum power dissipation (mw)	—	—	—	150
minimum operating temperature (°c)	—	—	—	-55
configuration	—	—	—	Single
number of elements per chip	—	—	—	1
channel type	—	—	—	N
technology	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
material	—	—	—	Si
channel mode	—	—	—	Enhancement
maximum continuous drain current (a)	—	—	—	0.5
maximum drain source resistance (mohm)	—	—	—	630 5V
maximum drain source voltage (v)	—	—	—	20
maximum gate source voltage (v)	—	—	—	±10
typical gate charge @ vgs (nc)	—	—	—	1.23 4V
typical input capacitance @ vds (pf)	—	—	—	46 10V
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	500mA (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	20V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	1.5V, 5V
fet type	—	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	1.23nC @ 4V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	46pF @ 10V
power dissipation (max)	—	—	—	150mW (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	630mOhm @ 200mA, 5V
vgs (max)	—	—	—	В±10V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	1V @ 1mA