Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	SSM3K2615R,LF
Цена	78 ₽
Информация о производителе	—
Основные	—
вес, г	0.008
вид монтажа	SMD/SMT
категория продукта	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
подкатегория	MOSFETs
размер фабричной упаковки	3000
тип продукта	MOSFET
торговая марка	Toshiba
упаковка / блок	SOT-23F-3
серия	SSM3K2615
длина	2.9 mm
время нарастания	25 ns
время спада	50 ns
коммерческое обозначение	MOSV
pd - рассеивание мощности	2 W
количество каналов	1 Channel
Вес и габариты	—
технология	Si
конфигурация	Single
квалификация	AEC-Q101
id - непрерывный ток утечки	2 A
qg - заряд затвора	6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	300 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	800 mV
канальный режим	Enhancement
полярность транзистора	N-Channel
тип транзистора	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	150 ns
типичное время задержки при включении	30 ns
continuous drain current (id) @ 25°c	2A
power dissipation-max (ta=25°c)	1W
rds on - drain-source resistance	300mΩ 1A, 10V
transistor polarity	N Channel
vds - drain-source breakdown voltage	60V
vgs - gate-source voltage	2V 1mA