Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-33Y-13	AP7384-50V-A, AP7384-50V-A, 1 Low Dropout Voltage, Voltage Regulator 50mA, 5 V 3-Pin, TO-92	AP7383-44W5-7	SSM3J372R,LF
Цена	0 ₽	0 ₽	0 ₽	130 ₽
Информация о производителе	—	—	—	—
Основные	—	—	—	—
line regulation	0.05%/V	0.05%/V	—	—
load regulation	0.5 V	0.5 V	—	—
mounting type	Surface Mount	Through Hole	—	Surface Mount
number of outputs	1	1	—	—
максимальная рабочая температура	125 C	—	—	+ 150 C
минимальная рабочая температура	-40 C	—	—	55 C
выходной ток	50мА	—	—	—
линейка продукции	3.3V 50mA LDO Voltage Regulators	—	—	—
package type	SOT-89	TO-92	—	—
minimum operating temperature	-40 C	-40 °C	—	—
width	2.6mm	3.8mm	—	—
pin count	3+Tab	3	—	—
maximum operating temperature	+125 C	+125 °C	—	—
количество выводов	3вывод(-ов)	—	—	—
максимальное входное напряжение	40В	—	—	—
тип выхода	фиксированный	—	—	—
output type	Fixed	Fixed	—	—
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 3-168 часов	—	—	—
output voltage	3.3 V	5 V	—	—
minimum input voltage	3.3 V	3.3 V	—	—
polarity	Positive	Positive	—	—
maximum input voltage	40 V	40 V	—	—
maximum output current	50mA	50mA	—	—
Вес и габариты	—	—	—	—
падение напряжения vdo	500мВ	—	—	—
стиль корпуса стабилизатора (ldo)	SOT-89	—	—	—
quiescent current	2.5uA	2.5µA	—	—
regulator type	Low Dropout Voltage	Low Dropout Voltage	—	—
номинальное значение фиксированного выходного напряжения	—	—	—	—
вес, г	—	—	—	0.011
moisture sensitivity level (msl)	—	—	—	1 (Unlimited)
operating temperature	—	—	—	150В°C
package	—	—	—	Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case	—	—	—	SOT-23-3 Flat Leads
rohs status	—	—	—	RoHS Compliant
вид монтажа	—	—	—	SMD/SMT
категория продукта	—	—	—	МОП-транзистор
подкатегория	—	—	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	—	—	3000
тип продукта	—	—	—	MOSFET
торговая марка	—	—	—	Toshiba
упаковка / блок	—	—	—	SOT-23F-3
eccn	—	—	—	EAR99
htsus	—	—	—	8541.29.0095
серия	—	—	—	SSM3J372R
supplier device package	—	—	—	SOT-23F
коммерческое обозначение	—	—	—	U-MOSVI
series	—	—	—	U-MOSVI ->
pd - рассеивание мощности	—	—	—	2 W
количество каналов	—	—	—	1 Channel
base product number	—	—	—	CMH05 ->
технология	—	—	—	Si
конфигурация	—	—	—	Single
квалификация	—	—	—	AEC-Q101
technology	—	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
id - непрерывный ток утечки	—	—	—	6 A
qg - заряд затвора	—	—	—	8.2 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	—	—	42 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	—	—	30 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	—	—	12 V, + 6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	—	—	1.2 V
канальный режим	—	—	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	—	—	5.7 S
полярность транзистора	—	—	—	P-Channel
тип транзистора	—	—	—	1 P-Channel
типичное время задержки выключения	—	—	—	75 ns
типичное время задержки при включении	—	—	—	15 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	—	6A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	—	30V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	—	1.8V, 10V
fet type	—	—	—	P-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	—	8.2nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	—	560pF @ 15V
power dissipation (max)	—	—	—	1W (Ta)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	—	42mOhm @ 5A, 10V
vgs (max)	—	—	—	+12V, -6V
vgs(th) (max) @ id	—	—	—	1.2V @ 1mA