Сравнение

CSD25202W15
Цена 200
Информация о производителе
Основные
вес, г 0.002
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок DSBGA-9
серия CSD25202W15
длина 1.5 mm
время нарастания 12 ns
время спада 28 ns
коммерческое обозначение NexFET
pd - рассеивание мощности 500 mW (1/2 W)
количество каналов 1 Channel
Вес и габариты
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 4 A
qg - заряд затвора 7.5 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 52 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 20 V
vgs - напряжение затвор-исток 6 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1.05 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 16 S
полярность транзистора P-Channel
тип транзистора 1 P-Channel
типичное время задержки выключения 64 ns
типичное время задержки при включении 15 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль