Сравнение

SI2301CDS-T1-GE3, Транзистор MOSFET P-CH 20В 3.1А [SOT-23-3]
Цена 0 71
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вес, г 0.05
rds on - drain-source resistance 112mО© @ 2.8A,4.5V
transistor polarity P Channel
vds - drain-source breakdown voltage 20V
vgs - gate-source voltage 1V @ 250uA
continuous drain current (id) @ 25в°c 3.1A
power dissipation-max (ta=25в°c) 860mW
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль