Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7384-70V-A	AP7383-44W5-7	CSD19531KCS, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 100А, 214Вт, TO220-3
Цена	0 ₽	0 ₽	520 ₽
Информация о производителе	—	—	—
Основные	—	—	—
вид монтажа	Through Hole	—	—
категория продукта	LDO регуляторы напряжения	—	—
количество выходов	1 Output	—	—
максимальная рабочая температура	+ 125 C	—	—
минимальная рабочая температура	40 C	—	—
подкатегория	PMIC - Power Management ICs	—	—
продукт	LDO Regulators	—	—
размер фабричной упаковки	2000	—	—
тип продукта	LDO Voltage Regulators	—	—
торговая марка	Diodes Incorporated	—	—
упаковка	Ammo Pack	—	—
упаковка / блок	TO-92-3	—	—
выходной ток	50 mA	—	—
нестабильность выходной нагрузки	0.5 %	—	—
тип выхода	Fixed	—	—
выходное напряжение	7 V	—	—
полярность	Positive	—	—
входное напряжение (макс.)	40 V	—	—
Вес и габариты	—	—	—
входное напряжение мин.	3.3 V	—	—
нестабильность выходного напряжения или тока	0.05 %/V	—	—
напряжение отпускания	500 mV	—	—
подавление пульсаций питания - типич.	60 dB	—	—
вес, г	—	—	2
moisture sensitivity level (msl)	—	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	—	Through Hole
operating temperature	—	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	—	Tube
package / case	—	—	TO-220-3
rohs status	—	—	ROHS3 Compliant
eccn	—	—	EAR99
htsus	—	—	8541.29.0095
reach status	—	—	REACH Affected
supplier device package	—	—	TO-220-3
series	—	—	NexFETв„ў ->
base product number	—	—	CSD19531 ->
technology	—	—	MOSFET (Metal Oxide)
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	—	100A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	—	100V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	—	6V, 10V
fet type	—	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	—	38nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	—	3870pF @ 50V
power dissipation (max)	—	—	214W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	—	7.7mOhm @ 60A, 10V
vgs (max)	—	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	—	3.3V @ 250ВµA