Сравнение

• Все характеристики
• Различные
• Очистить список сравнения

	AP7383-44W5-7	CSD18542KCS
Цена	0 ₽	820 ₽
Информация о производителе	—	—
Основные	—	—
Вес и габариты	—	—
moisture sensitivity level (msl)	—	1 (Unlimited)
mounting type	—	Through Hole
operating temperature	—	-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package	—	Tray
package / case	—	TO-220-3
rohs status	—	ROHS3 Compliant
вид монтажа	—	Through Hole
категория продукта	—	МОП-транзистор
максимальная рабочая температура	—	+ 175 C
минимальная рабочая температура	—	55 C
подкатегория	—	MOSFETs
размер фабричной упаковки	—	50
тип продукта	—	MOSFET
торговая марка	—	Texas Instruments
упаковка	—	Tube
упаковка / блок	—	TO-220-3
eccn	—	EAR99
htsus	—	8541.29.0095
серия	—	CSD18542KCS
reach status	—	REACH Affected
supplier device package	—	TO-220-3
длина	—	10.67 mm
время нарастания	—	5 ns
время спада	—	21 ns
коммерческое обозначение	—	NexFET
series	—	NexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности	—	200 W
количество каналов	—	1 Channel
base product number	—	CSD18542 ->
технология	—	Si
конфигурация	—	Single
technology	—	MOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product page	—	http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки	—	170 A
qg - заряд затвора	—	44 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток	—	4 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток	—	60 V
vgs - напряжение затвор-исток	—	20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	—	1.5 V
канальный режим	—	Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	—	198 S
полярность транзистора	—	N-Channel
тип транзистора	—	1 N-Channel
типичное время задержки выключения	—	18 ns
типичное время задержки при включении	—	6 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c	—	200A (Ta)
drain to source voltage (vdss)	—	60V
drive voltage (max rds on, min rds on)	—	4.5V, 10V
fet type	—	N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs	—	57nC @ 10V
input capacitance (ciss) (max) @ vds	—	5070pF @ 30V
power dissipation (max)	—	200W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs	—	44mOhm @ 100A, 10V
vgs (max)	—	В±20V
vgs(th) (max) @ id	—	2.2V @ 250ВµA