Сравнение

SI2319DDS-T1-GE3, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 40 В, 3.6 А, 0.062 Ом, SOT-23, Surface Mount
Цена 110
Информация о производителе
Основные
вес, г 2
максимальная рабочая температура 150 C
линейка продукции TrenchFET Gen III
количество выводов 3вывод(-ов)
уровень чувствительности к влажности (msl) MSL 1-Безлимитный
Вес и габариты
channel type P Channel
рассеиваемая мощность 1.7Вт
power dissipation 1.7Вт
напряжение истока-стока vds 40В
полярность транзистора P Канал
стиль корпуса транзистора SOT-23
непрерывный ток стока 3.6А
сопротивление во включенном состоянии rds(on) 0.062Ом
напряжение измерения rds(on) 10В
пороговое напряжение vgs 2.5В
монтаж транзистора Surface Mount
drain source on state resistance 0.062Ом
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль