Сравнение

CSD17318Q2T
Цена 0 340
Информация о производителе
Основные
line regulation 0.05%/V
load regulation 0.5 V
mounting type Through Hole Surface Mount
number of outputs 1
package type TO-92
minimum operating temperature -40 °C
width 3.8mm
pin count 3
maximum operating temperature +125 °C
output type Fixed
output voltage 5 V
minimum input voltage 3.3 V
polarity Positive
maximum input voltage 40 V
maximum output current 50mA
Вес и габариты
quiescent current 2.5µA
regulator type Low Dropout Voltage
moisture sensitivity level (msl) 1 (Unlimited)
operating temperature -55В°C ~ 150В°C (TJ)
package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case 6-WDFN Exposed Pad
rohs status ROHS3 Compliant
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 250
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок WSON-6
eccn EAR99
htsus 8541.29.0095
серия CSD17318Q2
reach status REACH Unaffected
supplier device package 6-WSON (2x2)
время нарастания 16 ns
время спада 4 ns
коммерческое обозначение NexFET
series NexFETв„ў ->
pd - рассеивание мощности 16 W
количество каналов 1 Channel
base product number CSD17318 ->
технология Si
конфигурация Single
technology MOSFET (Metal Oxide)
manufacturer product page http://www.ti.com/general/docs/suppproductinfo.tsp
id - непрерывный ток утечки 25 A
qg - заряд затвора 6 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 16.9 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 30 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 600 mV
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 42 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 13 ns
типичное время задержки при включении 5 ns
current - continuous drain (id) @ 25в°c 25A (Tc)
drain to source voltage (vdss) 30V
drive voltage (max rds on, min rds on) 2.5V, 8V
fet type N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs 6nC @ 4.5V
input capacitance (ciss) (max) @ vds 879pF @ 15V
power dissipation (max) 16W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs 15.1mOhm @ 8A, 8V
vgs (max) В±10V
vgs(th) (max) @ id 1.2V @ 250ВµA
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль