Сравнение

IRLD014
Цена 0 320
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа Through Hole
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 175 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 2500
тип продукта MOSFET
торговая марка Vishay / Siliconix
упаковка Tube
упаковка / блок DIP-4
время нарастания 110 ns
время спада 26 ns
pd - рассеивание мощности 1.3 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 1.7 A
qg - заряд затвора 8.4 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 200 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 60 V
vgs - напряжение затвор-исток 10 V, + 10 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 1 V
канальный режим Enhancement
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 1.9 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 17 ns
типичное время задержки при включении 9.3 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль