Сравнение

CSD13303W1015
Цена 0 64
Информация о производителе
Основные
Вес и габариты
вид монтажа SMD/SMT
категория продукта МОП-транзистор
максимальная рабочая температура + 150 C
минимальная рабочая температура 55 C
подкатегория MOSFETs
размер фабричной упаковки 3000
тип продукта MOSFET
торговая марка Texas Instruments
упаковка / блок DSBGA-6
серия CSD13303W1015
длина 1.5 mm
время нарастания 10 ns
время спада 3.2 ns
коммерческое обозначение NexFET
pd - рассеивание мощности 1.65 W
количество каналов 1 Channel
технология Si
конфигурация Single
id - непрерывный ток утечки 3.5 A
qg - заряд затвора 3.9 nC
rds вкл - сопротивление сток-исток 20 mOhms
vds - напряжение пробоя сток-исток 12 V
vgs - напряжение затвор-исток 8 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток 850 mV
крутизна характеристики прямой передачи - мин. 14 S
полярность транзистора N-Channel
тип транзистора 1 N-Channel
типичное время задержки выключения 14.7 ns
типичное время задержки при включении 4.6 ns
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль